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IGBT 模塊FZ400R12KE4分類原理

發(fā)布時(shí)間: 2023-10-23  點(diǎn)擊次數(shù): 404次

IGBT 模塊FZ400R12KE4分類原理

 IGBT 模塊UPS 系統(tǒng)可分為三大類:

1.離線/待機(jī)式:當(dāng)交流線路出現(xiàn)電壓時(shí),繼電器繞過逆變器,逆變器保持關(guān)機(jī)狀態(tài)。電池充電器工作,保持電量充滿狀態(tài)。若交流電源故障,繼電器將UPS輸出切換到逆變器,逆變器在10至20毫秒的短暫中斷后啟動,提供備用電源。

2.線上交互式:與離線式UPS類似,但包含了一些交流線路調(diào)制功能,可以調(diào)節(jié)交流電流輸出,在低線和高線輸入電壓情況下進(jìn)行補(bǔ)償,提供更穩(wěn)定的輸出電壓。該系統(tǒng)是線路調(diào)制器和離線式 UPS 的結(jié)合體。

3.在線/雙轉(zhuǎn)換式:在電池充電時(shí),交流電輸入被轉(zhuǎn)換為直流電,然后再轉(zhuǎn)換回交流電。由此在交流線路故障時(shí),系統(tǒng)將無縫切換到備用電池,讓輸出持續(xù)不間斷運(yùn)行。這類系統(tǒng)在任何條件下都能提供穩(wěn)定、干凈的交流電輸出,但轉(zhuǎn)換過程中會有固定的效率損耗。更為復(fù)雜的系統(tǒng)通過在交流線路工作期間部分繞過兩個(gè)轉(zhuǎn)換級來緩解這種情況,因此只有少量的電量會通過它們。如果交流電輸入發(fā)生故障,逆變器級能在不中斷輸出情況下滿負(fù)載工作。

 IGBT 模塊離線(待機(jī))UPS 主要用于小型辦公室或家庭辦公環(huán)境,也可稱為 SOHO。離線 UPS 容量通常在 0 到 10 kVA 之間。該方案涵蓋了主要的電源分立式解決方案,通常分為基于 低頻變壓器和基于 高頻變壓器的兩類系統(tǒng)。它使用的場景是:當(dāng)交流線路出現(xiàn)電壓時(shí),繼電器繞過逆變器,逆變器保持關(guān)機(jī)狀態(tài)。電池充電器工作,保持電量充滿狀態(tài)。若交流電源故障,繼電器將UPS輸出切換到逆變器,逆變器在 10 至 20 毫秒的短暫中斷后啟動,提供備用電源。

 IGBT 模塊, 采用第四代TRENCHSTOP™ IGBT、第四代發(fā)射極控制二極管,是您設(shè)計(jì)工作的。特征描述:提高工作溫度Tvj op;低開關(guān)損耗;出色的堅(jiān)固性;具有正溫度系數(shù)特性的VCEsat;低 VCEsat;4 kV 交流 1 分鐘絕緣;封裝的 CTI > 400;高爬電距離和電氣間隙;絕緣基板;標(biāo)準(zhǔn)外殼。它們被應(yīng)用于許多領(lǐng)域,包括工業(yè)制造工藝、電信、數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療器械和小型辦公室或家庭辦公環(huán)境中,又被稱為 S.O.H.O。不間斷電源通常包括基于MOSFET的逆變器,采用12V或24V鉛酸電池供電。在額定功率更高的系統(tǒng)中,需要更高的電池電壓來限制工作電流。42V和72V系統(tǒng)的存在也是基于相同的原因,但由于這些系統(tǒng)不太常見,因此本參考設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)是12V電池。UPS的電池可內(nèi)置或外置,汽車電池是外部使用的,內(nèi)部使用密封鉛酸電池。UPS 系統(tǒng)可分為三大類:離線/待機(jī) UPS, 線上交互式 UPS, 在線/雙轉(zhuǎn)換式 UPS。


 IGBT 模塊UPS系統(tǒng)通過兩階段的流程向連接的設(shè)備供電。首先,它們將輸入的交流電轉(zhuǎn)換為直流電,然后將直流電轉(zhuǎn)換為調(diào)制后的純正弦波交流電。在停電期間,UPS系統(tǒng)將電池存儲的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。此外,在內(nèi)部故障或過載的情況下,它們會自動繞過內(nèi)部元件,直接向連接的設(shè)備供電。直流-交流系統(tǒng)將直流電轉(zhuǎn)換為調(diào)制后的純正弦波交流電壓。在此階段, 2 級 或 3 級 NPC 1/NPC 2 拓?fù)?,特別是 3 級 NPC 1/ NPC 2 因其較高的效率而被廣泛使用。3 級 NPC 1 可用于 600 V 設(shè)備,是 20 kHz 以上開關(guān)頻率操作,和高輸出電壓 UPS 型號的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。3 級 NPC 2 可用于 600 V 和 1200 V 設(shè)備,是 20 kHz 以下開關(guān)頻率操作的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),也是低輸出電壓 UPS 型號的。英飛凌 1200 V CoolSiC™ MOSFET 技術(shù)為變頻器設(shè)計(jì)師開創(chuàng)了新機(jī)會,讓他們可在使用簡單的 2 級拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的同時(shí),獲得比復(fù)雜的 3 級拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)更高的效率和功率密度。


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